学历：
中山大学理学学士，物理专业；
中国电子科技集团第十三研究所工学硕士，半导体光电集成专业。
研究方向：
半导体器件与工艺
课题项目：
1、国家重点研发计划，“固态紫外器件高光提取效率和光子调控工艺技术研究”，2016.7-2021.6，在研，参加（排名第三）
2、国家自然科学基金联合基金项目重点支持项目，“GaN基垂直腔面发射激光器基础研究”，2016.1-2019.12，在研，参加（排名第二）
3、国家自然基金面上项目，“III族氮化物半导体微谐振腔中自发辐射特性研究”，2015.1-2018.12，在研，参加（排名第三）
4、国家自然基金面上项目，“氮化镓基共谐振腔发光管研究”，2016.1-2019.12，在研，参加（排名第三）
5、广东省省级科技计划项目，“宽带高效可见光通信LED器件研发”，2015.1-2017.12，在研，参加（排名第四）
6、国家自然基金青年科学基金项目，“GaN基外腔可调谐半导体激光器研究”，2014.1-2016.12，已结题，参加（排名第三）
代表作：
[1]Mei Y, Weng G, Zhang B, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Li Z, Yang H, Kao H, 2017. Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the 'green gap' 2017. Light: Science & Application 6:
[2]Weng G, Mei Y, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Bu Y, Li A, Yang H, Zhang B, 2016. Low threshold continuous-wave lasing of yellow-green InGaN-QD vertical-cavity surface-emitting lasers. Optics Express 24(14): 15546-15553(SCI).
[3]Long H, Zeng Y, Ying L, Zhang B, 2016. Coplanar metal-semiconductor-metal light-emitting devices with an n++InGaN layer and their application to display. Semiconductor Science and Technology 31: 065019-065023(SCI).
[4]Ying L, Hu X, Liu W, Zhang J, Zhang B*, 2015. Control of optical loss in GaN-based planar cavities. Superlattices and Microstructures 88: 561-566 (SCI).
[5]Zhang J, Ying L*, Chen M, Liu W, Yu J, Zhang B, 2015. Improved heat dissipation in GaN-based thin-film light-emitting diode with lateral-electrode configuration. Science of Advanced Materials 7: 283-286(SCI).
[6]Liu W, Hu X, Ying L*, Zhang J, Zhang B, 2014. Room temperature continuous wave lasing of electrically injected GaN-based vertical cavity surface emitting lasers. Applied Physics Letters 104: 251116-1-3(SCI).
[7]应磊莹，刘文杰，张江勇，胡晓龙，张保平，2014. 激光剥离GaN表面的抛光技术。Seminconductor Manufacturing Technologies 39(10): 758-762.
[8]张保平，翁国恩，梅洋，张江勇，应磊莹，一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，授权公开号CN104634767 B， 授权公告日2017.02.22.
[9]张保平，左海杰，张江勇，应磊莹，一种衍射光学元件的制作方法，授权公开号CN103969724 B， 授权公告日2016.08.17
[10]张保平，胡晓龙，刘文杰，张江勇，应磊莹，一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，授权公开号CN103325894 B， 授权公告日2016.02.17.
[11]张保平，刘文杰，胡晓龙，张江勇，应磊莹，一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法，授权公开号CN103227265 B， 授权公告日2015.08.19.
