近日，我院于大全教授团队在《IEEE Electron Device Letters》杂志上发表了题为“Development of Low Cost Glass Based Deep Trench Capacitor for 3D Packaging”的研究成果，报道了利用玻璃通孔和原子层沉积工艺制作的一款低损耗、高电容密度的三维电容器。

电容器作为射频和模拟/混合电路芯片的重要元件，广泛应用于滤波、振荡、去耦、开关等场景，而随着射频和模拟/混合电路芯片集成化发展中，对高性能无源器件的需求在急速增加，耦合阻抗匹配电路对电容提出了更高的要求。硅基高密度电容虽然可以满足上述场景的高电容密度和高集成化，但基板带来的损耗和深硅刻蚀工艺成本越来越成为人们关注的对象，玻璃基板优秀的电学性能使其成为硅基板的理想替代品。 

在本文中，基于激光诱导湿法刻蚀技术实现的玻璃基上阵列的盲槽结构，设计了一款金属-绝缘-金属的三维电容。并通过加厚电极和引出电路的设计优化进一步降低了电容器的寄生电感和寄生电容，实现拥有更低损耗更加性能的高密度电容器。

该项工作由太阳集团官方网站入口与厦门云天半导体科技有限公司合作完成，于大全教授为论文通讯作者，2020级硕士胡芝慧为第一作者。研究工作得到了国家自然科学基金（No. 61974121）等科技计划资助。

同时，这也是课题组一年来连续在EDL上发表的第三篇文章，系统地报道了玻璃衬底天线、滤波器、电容等无源器件技术，这一系列的研究成果为高性能、高集成度、低成本的射频微系统三维集成提供了高性价比解决方案。

原文链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/10184112

                                                            图文：胡芝慧